RM6000T是一颗电流模式PWM控制芯 片，外置高压功率MOSFET，用于功率在65W 以内的方案。

RM6000T内置多种?；?，包括逐周期限流?；ぃ∣CP），过载?；ぃ∣LP），过压保护（OVP），VDD过压箝位，欠压保护（UVLO）等，采用抖频技术更好的改善系统的EMI特 性和开关的软启动控制。系统的跳频频率设 置在音频（20KHz)以上，工作时可以避免系 统产生噪音。

符合6级能效标准，在通用交流输入时 待机功率<75mW

针对低于65W的应用进行了优化

上电软启动以降低MOSFET Vds应力 抖频功能，改善EMI性能 固定65KHz开关频率

跳频模式，改善轻载效率，减小待机功 耗

内置同步斜坡补偿

低启动电流，低工作电流 内置前沿消隐（LEB)功能

保护功能：欠压?；ぃ║VLO）

过热?；?OTP)

逐周期限流?；ぃ∣CP）

过载保护（OLP)

过压?；?OVP)

应用领域

电源适配器 开放式电源 TV/机顶盒电源

副边反馈