RM6522 副边反馈SSR+QR隔离开关电源芯片
产品描述：
RM6522是一款内置高压MOSFET,高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，支持谷底检测开通功能，满足六级能效标准。
RM6522采用低电流启动模式及低工作电流，减少待机损耗。芯片内置多种工作模式，在轻载及空载情况下，芯片进入Burstmode模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率；在重载情况下，电路进入QR模式。内部集成斜坡补偿模块，有利于系统闭环反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压。芯片外置OVP保护功能，可以通过VSET管脚的上下拉电阻分压设置OVP保护限值，以满足不同条件的用户需求。
芯片内部集成多种异常状态保护功能，包括VDD欠压保护及过压保护，过载保护，CS过流和悬空保护，过温保护功能。在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测，直至异常解除为止，输出正常。
宽范围VDD电压（9V-60V）
内置650V高压MOSFET 低启动电流和工作电流
Burst mode模式去除音频噪音并提高轻 载效率
最大支持100KHz工作频率 QR/谷底开通模式
轻载/空载Burst mode 软启动功能
具备抖频模式降低EMI 电流模式控制
内置CS管脚短路保护功能 内置斜坡补偿功能 内置前沿消隐
VDD过压保护和欠压保护 外置输出OVP
过载保护和过温保护 逐周期限流功能
输出二极管短路保护功能
应用领域 电源适配器 开放式电源 TV/机顶盒电源 PD快充电器
原理图仅供参考 以规格书为准
副边反馈（SSR）+QR
| 产品型号 | 功能特点 | 典型功率 | 功率器件 | 最大频率 | 封装形式 |
|---|---|---|---|---|---|
| RM6514S | CCM/QR、六级能效标准 | 18W/24W | 内置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6515D | CCM/QR、六级能效标准 | 18W/24W | 内置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6517D | CCM/QR、六级能效标准 | 30W/36W | 内置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6510T | CCM/QR、六级能效标准 | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6500SA | CCM/QR、六级能效标准 | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6522SA | 内置?压MOS QR/?底开通模式 ?压VCC | 15W/18W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6500S | CCM/QR、六级能效标准 | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6526D | 内置?压MOS QR/?底开通模式 ?压VCC | 25W/30W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6524D | 内置?压MOS QR/?底开通模式 ?压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6523D | 内置?压MOS QR/?底开通模式 ?压VCC | 18W/20W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6522D | 内置?压MOS QR/?底开通模式 ?压VCC | 12W/15W | 内置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6524SAL | 内置?压MOS QR/?底开通模式 ?压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6524SA | 内置?压MOS QR/?底开通模式 ?压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6523SAL | 内置?压MOS QR/?底开通模式 ?压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6523SAH | 内置?压MOS QR/?底开通模式 ?压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6523SA | 内置?压MOS QR/?底开通模式 ?压VCC | 20W/25W | 内置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6528NS | 内置?压GaNFET QR/?底开通模式 | 20W/25W | 内置GaN | 100kHz | ESOP-8 |
| RM6524NDH | 内置?压GaNFET QR/?底开通模式 | 45W/50W | 内置GaN | 100kHz | DFN8*8 |
| RM6524ND | 内置?压GaNFET QR/?底开通模式 | 35W/45W | 内置GaN | 100kHz | DFN5*6 |
| RM6522ND | 内置?压GaNFET QR/?底开通模式 | 60W/65W | 内置GaN | 100kHz | DFN8*8 |
| RM6520SDQ | ?压启动 ?压VCC QR/?底开通模式 | 120W/120W | 外置MOS | 100kHz | SOP-8 |
| RM6520NDQ | ?压启动 ?压VCC QR/?底开通模式 | 120W/120W | 外置GaN | 100kHz | SOP-8 |
| RM6520SL | ?压VCC ， QR/?底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6520TN | ?压VCC ， QR/?底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置GaN | 100kHz | SOT23-6 |
| RM6604NDQ | 高压启动，QR，内置高压GaNFET,集成GaN驱动器，六级能效标准 | 36W/40W | 内置GaN | 130kHz | DFN5*6 |
| RM6602NDQ | 高压启动，QR，内置高压GaNFET,集成GaN驱动器，六级能效标准 | 65W/70W | 内置GaN | 130kHz | DFN8*8 |
| RM6601NDQ | 高压启动，QR,集成GaN驱动器，六级能效标准 | 100W/100W | 外置GaN | 130kHz | SOP-8 |
| RM6520TL | ?压VCC ， QR/?底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6520T | ?压VCC ， QR/?底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 100kHz | SOT23-6 |
| RM6520S | ?压VCC ， QR/?底开通模式，六级能效标准 | 120W/120W | 外置MOS | 100KHZ | SOP-8 |
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